Le géant taïwanais Hon Hai (Foxconn) et le développeur allemand de semi-conducteurs automobiles Infineon ont signé un protocole d’entente pour établir un partenariat de long terme dans le développement de véhicules électriques et développer conjointement une électromobilité avancée grâce aux nouvelles technologies intelligentes.
Dans le cadre de ce mémorandum, les deux parties s’engagent à se concentrer sur le développement du carbure de silicium (SiC), en tirant parti des innovations SiC automobiles d’Infineon et des technologies de Hon Hai dans les systèmes automobiles.
Par ailleurs, l’accord prévoit la création à Taïwan d’un centre conjoint d’application système qui verra le jour d'ici à la fin de cette année. D’après le communiqué de Hon Hai, le centre sera dédié à l’optimisation des applications des véhicules, telles que les cabines intelligentes, les systèmes avancés d’assistance à la conduite, les applications de conduite autonome et d’électromobilité. Le centre couvrira également une large gamme de produits automobiles d’Infineon : capteurs, microcontrôleurs, semi-conducteurs automobiles, etc.