L’industrie de semi-conducteurs, dont la technologie est déjà au niveau de 3 nanomètres, va bientôt se confronter à ses limites. Pour répondre aux demandes des nouveaux dispositifs plus sophistiqués encore comme les produits d’intelligence artificielle et les automobiles électriques, il faudra trouver des solutions plus efficaces.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) a annoncé aujourd’hui avoir fait une percée cruciale. Les chercheurs universitaires en coopération avec TSMC ont réussi à établir une diode de seulement 0,7 nanomètre d’épaisseur, soit l’équivalent de l’épaisseur d’un atome. Cette diode plus mince et plus légère permet de réduire les interférences et d’accélérer ainsi les opérations. Cela représente aussi des économies considérables d’énergie. Les chercheurs estiment qu’avec la nouvelle diode, l’on pourrait ne recharger son téléphone portable qu’une fois par mois.
Ces chercheurs sont sous la direction du professeur Wu Chung-lin (吳忠霖) du département de la physique de l’Université nationale de Cheng Kung et du Dr. Chen Chia-hao (陳家浩) du centre national de recherches de rayonnement synchrotron (National Synchrotron Radiation Research Center；NSRRC).