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Semi-conducteurs : une nouvelle percée de 1,3 nanomètre

  • 21-02-2024
  • La Rédaction
Semi-conducteurs : une nouvelle percée de 1,3 nanomètre
Le département de physique de l'Université normale nationale de Taïwan présente le fruit de sa recherche sur les semi-conducteurs (photo, Commission ministérielle des sciences et technologies)

Un groupe de chercheurs à l’Université normale nationale de Taïwan a réussi à établir une technologie de semi-conducteurs, permettant de porter de 3 nanomètres à seulement 1,3 nanomètre l’épaisseur du transistor. Selon les chercheurs, cette technologie, utilisant le transistor ferroélectrique, dispose de plusieurs avantages, comme le précise Lan Yan-wen (藍彥文) du département de physique de l’université : « En règle générale, il faut une mémoire et un transistor pour former un montage en série, qui peut alors exécuter le calcul. Cependant, notre recherche a conduit à la découverte d’un transistor qui peut, à lui seul, fonctionner à la fois comme mémoire et calculateur, ce qui permet de réduire largement la consommation d’énergie, mais aussi d’accélérer le calcul. »

 

 

Le fruit de cette recherche étant déjà publié dans la revue en anglais Nature Electronics en novembre 2023, le groupe taïwanais a affirmé que tout le monde peut s’en servir.

Lien vers Nature Electronics https://www.nature.com/articles/s41928-023-01073-0

 

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